高紫外灵敏度光谱仪
掌控等离子体刻蚀终点
高紫外灵敏度光谱仪
掌控等离子体刻蚀终点
在先进制程不断逼近物理极限的今天，刻蚀精度正在成为半导体制造成败的分水岭。
而在这一过程中，如何精准判断刻蚀终点，避免“过刻”或“欠刻”对下一层结构的破坏，正是当下工艺工程师的一大难题。
等离子体刻蚀：亚微米时代的核心工艺
等离子体刻蚀：
亚微米时代的核心工艺
等离子体刻蚀是微电子制造中的关键步骤。通过氟系、氯系气体（如CF₄、Cl₂）在高频射频电源作用下形成高能等离子体，对目标材料进行选择性轰击与化学反应，实现纳米级图形转移。典型工艺包括氧化层、多晶硅、金属等薄膜材料的移除，对工艺窗口、终点控制的要求极高。
而终点控制失败，过度刻蚀就会“咬穿”底层结构，影响器件性能甚至导致失效；欠刻蚀则使残留物堆积，引发后续工艺缺陷，严重时需返工甚至报废整片晶圆。
光谱仪：破解刻蚀“黑箱”的利器
光谱仪：
破解刻蚀“黑箱”的利器
面对传统“经验式”控制难以支撑的制程复杂性，越来越多工艺团队选择引入光学发射光谱（OES）技术进行原位监控。立穹推出的RAPTOR I与GODZILLA系列光谱仪，正是解决这一痛点的关键工具。
RAPTOR I采用高性能CMOS探测器，其对紫外波段的响应显著优于同级别CCD探测器和紫外增敏镀膜技术，具备更高的灵敏度与更佳的信噪比，可轻松捕捉CFₓ、Cl等在紫外区域的关键谱线，助力深亚微米工艺的终点判断。
GODZILLA则面向高端设备场景，集成了定制光路与增强紫外技术，在满井容量~2 百万个电子 / 每像素列的灵敏度行业领先，是复杂多层结构刻蚀的理想选择。
二者均采用低热漂移光学平台，核心结构基于特制材料构建，温漂控制优于 0.025 像素/℃，消除了由于远距离设备运输所产生的光学漂移情况，同时也保证系统长期稳定运行。对紫外信号高度敏感，尤其适用于检测Cl、CFₓ、Ga、In等微弱等离子体信号。支持毫秒级响应采样，保障终点信号的实时捕捉与工艺窗口的精密监控。
案例解析：“无监控”到“精准止步”的跃升
案例解析：
“无监控”到“精准止步”的跃升
在Drytek RIE设备的试验中，我们部署的RAPTOR I解决方案，通过监测Ar和CF₂的特征发射线，精确捕捉到了氮化硅刻蚀的终点信号，弥补了原机型无终点检测模块的短板。后续数据显示：在刻蚀小尺寸图形时，辅助设置参考区域配合RAPTOR I的高紫外灵敏度，终点判断稳定性提升了30%以上。
而在一款MOCVD设备的深刻蚀实验中，GODZILLA凭借其紫外波段的优势，在检测到275 nm与321 nm谱线衰减变化后，精准识别多晶硅栅层刻蚀终止点，确保了纳米级栅极结构不被“咬穿”。
更懂工艺的光谱仪，才是工业的刚需
更懂工艺的光谱仪，
才是工业的刚需
在“原子级制造”时代，精准，不再只是理论上的理想，而是产品可靠性的保障。RAPTOR I 和 GODZILLA 两款光谱仪，正是面向工业客户、深度嵌入制程节点的系统级解决方案。
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